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1.uvled發光機理：PN結的端電壓構成一定的勢壘。 當正向偏置電壓時勢壘減小時，P和N區域中的多數載流子彼此擴散。 由于電子遷移率的遷移率遠大于空穴的遷移率，因此大量電子將擴散到P區，從而在P區中注入少數載流子。 這些電子與價帶中的空穴復合，并且在復合期間獲得的能量以光能的形式釋放。 這就是PN結發光的原理。uvled光源
2，uvled發光效率：通常稱為組件的外部量子效率，是組件內部的量子效率與組件的提取效率的乘積。 所謂的模塊內部量子效率實際上就是模塊本身的電光轉換效率，這主要與模塊本身的特性（例如，模塊材料的能帶，缺陷和雜質）有關。），勢壘晶體的組成和模塊的結構。 組件的提取效率是指組件內部生成的光子數，可以在組件自身吸收，折射和反射之后實際在組件外部進行測量。 因此，與提取效率相關的因素包括成分材料本身的吸收，成分的幾何結構，成分和包裝材料的折射率差以及成分結構的散射特性。 組件內部量子效率與組件提取效率的乘積是整個組件的發光效果，即組件外部量子效率。 早期組件開發的重點是改善其內部量子效率。 主要方法是提高勢壘晶體的質量，改變勢壘晶體的結構，使電能不易轉化為熱量，間接提高了uvled的發光效率，從而獲得了70%的發光效率。 左右理論內部量子效率，但這種內部量子效率幾乎接近理論極限。 在這種情況下，僅通過增加模塊內部量子效率就不可能增加模塊的總光量。 因此，提高模塊的提取效率已成為重要的研究課題。 當前的方法主要是：改變晶粒的外觀tip結構，表面粗糙化技術。uv烤箱
3，uvled電氣特性：電流控制裝置，負載特性UI曲線類似于PN結，正向方向的很小變化導通電壓會引起正向電流的較大變化（指數級），反向漏電流非常小，反向擊穿電壓。 在實際使用中，應該選擇它。uvled正向電壓隨著溫度的升高而變小，負溫度系數。uvled消耗功率，其中一部分被轉換為光能，這是我們所需要的。 其余部分轉化為熱量，從而提高了結溫。 散發的熱量（功率）可以表示為。 紫外線燈
4.uvled光學特性：uvled提供具有大半角的單色光。 由于半導體的能隙隨溫度的升高而減小，因此半導體發射的峰值波長隨溫度的升高而增加，即光譜紅移，溫度系數為+ 2?3A /。uvled發光亮度L和正向電流。 隨著電流的增加，發光亮度也大約增加。 另外，發光亮度也與環境溫度有關。 當環境溫度高時，復合效率降低并且發光強度降低。5.uvled熱學特性：小電流下LED溫升不明顯。 如果環境溫度高，主波長uvled將發生紅移，亮度會降低，并且光的均勻性和均勻性會降低。 尤其是，點矩陣和大型顯示屏的溫度上升對LED的可靠性和穩定性具有更大的影響。 因此散熱設計非常重要。
6，uvled壽命：uvled長時間工作會由于光衰減而導致老化，特別是對于高功率的uvled，光衰減的問題更加嚴重。 測量uvled的壽命時，僅將燈的損壞視為uvled壽命的終點是不夠的。LED的壽命應由uvled的光衰減百分比（例如35%）指定，這更有意義。
7。 大功率uvled包裝：主要考慮散熱和發光。 關于散熱，請使用銅基熱襯，然后連接至鋁基散熱器。 芯片和散熱片通過焊接連接。 這種散熱方法效果更好，性價比更高。 在發光方面，采用倒裝芯片技術，在底部和側面增加反射面以反射浪費的光能，從而可以獲得更多的消光光。